5月6日丨鼎龍股份(300054.SZ) +2.320 (+3.720%) 公佈，控股子公司—武漢鼎澤新材料技術有限公司，近期在半導體CMP拋光液領域接連取得三項重大進展，分別在大硅片精拋液、氧化鈰拋光液、先進封裝用TSV拋光液領域實現產品突破並獲得客户訂單。大硅片精拋液、氧化鈰拋光液、先進封裝用TSV拋光液領域在國內的市場規模合計超10億元，目前國產化率極低。公司本次實現多類拋光液產品突破，進一步補齊國內高端CMP拋光液供給短板，更好響應國內多類核心客户端拋光液本土化供應需求。
近期，公司自主研發的大硅片精拋液產品成功通過客户嚴苛的產品認證，正式獲得訂單，並已啟動批量交付。該產品主要應用於12英寸（300mm）單晶硅晶片製造環節。12英寸單晶硅晶片作為全球集成電路製造的核心基底材料，其表面平坦度、潔淨度、粗糙度等指標要求達到原子級精度，對配套拋光液的顆粒均勻性、分散穩定性、材料兼容性、去除速率控制等核心性能均提出了遠超常規半導體器件拋光液的技術標準。應用於該領域的拋光液產品長期由國外廠商壟斷。
公司憑藉多年在CMP拋光液領域的技術積累與工藝沉澱，成功攻克大硅片精拋的核心技術難點，實現該領域產品的國產化破局，進一步完善了公司在半導體硅材料全流程加工的材料佈局。本次訂單的取得，標誌着公司拋光液產品的業務範圍，從已有的半導體器件後端加工領域，正式向上遊拓展至技術壁壘更高的大尺寸硅片前端製造領域，進一步打開市場空間。
公司自主研發生產的氧化鈰CMP拋光液產品，近期成功通過國內龍頭存儲芯片製造企業的全流程驗證，獲得客户批量訂單，正式進入規模化供應階段。該產品是3DNAND、DRAM及HBM（高帶寬內存）等主流存儲器件製造的核心剛需材料，直接應用於淺溝槽隔離（STI）、層間介質（ILD）等關鍵平坦化工序，是保障多層堆疊結構精度、提升芯片良率與性能的關鍵耗材。該產品市場長期由國外廠商主導，公司應客户緊急需求，從氧化鈰研磨粒子攻堅，再通過配方調試匹配用户需求，僅耗時一年順利通過客户全流程驗證，實現從研磨粒子到拋光液產品的全國產化供應，從底層技術解決客户難題。
當前，全球存儲產業正經歷結構性變革：3DNAND堆疊層數持續提升，DRAM製程迭代與產品升級加快，HBM作為AI芯片核心存儲方案需求快速增長。在上述趨勢驅動下，氧化鈰拋光液作為存儲芯片製造的關鍵耗材，市場需求有望持續擴容。本次訂單落地，是公司綜合技術實力獲得行業頭部客户認可的重要體現，為公司進一步深度綁定存儲產業鏈優質資源、搶佔高增長細分市場份額築牢基礎，並有望為公司經營業績帶來持續增量貢獻。截至目前，公司已成功實現超純硅、高純硅、氧化鋁、氧化鈰四大系列核心研磨粒子的自主研發與規模化生產，配套拋光液產品全面覆蓋半導體制造各關鍵製程環節。氧化鈰拋光液的客户突破與訂單落地，補齊了公司在高端CMP拋光液全品類佈局中的關鍵拼圖，構建完整且自主可控的研磨粒子技術平台與產品矩陣。
公司自主研發的TSV（硅通孔）拋光液，已順利通過國內先進封裝龍頭客户的全流程驗證。TSV是2.5D/3D先進封裝的核心工藝環節，TSV拋光液是實現硅通孔表面高精度平坦化、保障封裝良率的關鍵材料，具備較高技術壁壘與研發門檻。此前，國內該細分市場參與者相對單一。本次公司TSV拋光液完成客户驗證並實現技術產業化突破，進一步豐富了國內高端CMP拋光液供給體系，完善了產業配套選擇，助力國內先進封裝產業鏈降低單一供應鏈依賴，持續推進國產化自主化進程。
本次三款核心拋光液產品同時實現技術突破並斬獲訂單，是公司長期深耕半導體材料研發、堅持自主創新的重要成果體現，進一步完善了公司CMP拋光液產品矩陣，除已有的邏輯工藝和存儲器件以外，新增覆蓋大硅片、下一代存儲製造與先進封裝三大核心賽道，有望顯著提升公司在半導體材料領域的核心競爭力、市場地位與盈利能力，為公司培育新的增長引擎。產能方面，公司已具備武漢本部年產5,000噸拋光液生產線、仙桃年產1萬噸CMP拋光液及年產1萬噸CMP拋光液用配套納米研磨粒子產線，產能儲備充足，產能利用率隨市場拓展而逐步提升，為後期快速放量奠定堅實基礎。
(A股報價延遲最少十五分鐘。)新聞來源 (不包括新聞圖片): 格隆匯